期刊专题

10.3969/j.issn.1681-5289.2008.12.008

铜工艺电迁移分模式失效机理研究

引用
在大规模集成电路进入深次微米时代的同时,铜工艺技术也被广范应用在金属互连层的工序当中.电迁移(Electromigration,EM)测试是检测金属互连层性能的主要方法,本文针对测试结果所呈现的分模式(Bi-modal)现象,对大量累积的测试数据以及物理失效分析的结果进行分析,并且结合对铜工艺的分析,给出了失效机理的解释并以图形化的形式进行了整合归纳.提供了一种快速的通过失效时间进行失效模式分析的方法,为我们不依靠物理失效分析而快速发现工艺问题提供了可能.

电迁移、铜互连、分模式、失效时间、失效机理

17

TN4;TN3

2009-02-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

44-47,81

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中国集成电路

1681-5289

11-5209/TN

17

2008,17(12)

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