纳米级工艺对物理设计的影响

摘要：

随着微电子技术的进步,超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸已经步入纳米范围.纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点,因此为制造和设计都带来了很多难题,诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等,为了保证设计的进度和质量,就必须针对这些特点进行深入分析,并建立全新的分析设计方法和手段.

关键词：纳米级工艺、超大规模集成电路、芯片在片波动、物理设计

所属期刊栏目：17

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：39-47