超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响

摘要：

对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍.以应用超结理论的C00LMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍.

关键词：超结器件、功率半导体器件、COOLMOSTM、导通电阻、击穿电压

所属期刊栏目：17

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：15-21