基于伪静态存储器的设计

摘要：

@@ 伪静态(Pseudo-static)存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态.商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F-RAM).PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势.F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力.F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能.本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作.

机标关键词：静态存储器、静态随机存储器、伪静态、铁电随机存储器、应用、系统设计、系统成本、竞争优势、非易失性、产品供应、商业化、竞争力、非静态、用途、性能、数据、人员、目标、面具、慢速

所属期刊栏目：17

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：67-70