期刊专题

10.3969/j.issn.1681-5289.2008.06.013

沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM

引用
@@ 随着微电子行业的发展,微处理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作频率越来越高等),这就要求其电流不断增大.同时,为了降低功耗,电源电压必须不断降低.下一代处理器的供电电压将会降到1.1V~1.8V,电流处理能力将达到50A~100A[1],更多的功能将被集成在一块处理器芯片上,并且处理器工作频率超过2GHz.这就对供电电源中的元器件提出了新的挑战.需要使用特殊的电源,或电压调节模块(Voltage Regulator Modules)为微处理器提供更低的电压和更高的电流.

槽栅、低压、功率、元器件、微处理器、工作频率、供电电压、供电电源、电流、处理器芯片、电子行业、电源电压、电压调节、流处理、低功耗、性能、能力、模块、集成、功能

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TN4;TN3

2008-07-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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中国集成电路

1681-5289

11-5209/TN

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2008,17(6)

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