O.16微米CMOS工艺技术

摘要：

@@ 和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩(实际尺寸为0.162微米),大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白.

机标关键词：微米、制造工艺、工艺技术、实际尺寸、价格竞争力、半导体器件、相互兼容、技术基础、工艺成熟、创新研发、新产品、高效能、自主、芯片、缩短、生产、绕线、面积、客户、科技

所属期刊栏目：17

分类号：TS6;TG8

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：40-41