沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻Rds(on)

摘要：

近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高.本文对该方面的新发展进行了论述.本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展.

关键词：MOSFET、通态电阻、FOM

所属期刊栏目：17

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：19-26