基于深亚微米MOS器件沟道的热噪声浅析

摘要：

随着MOS器件工艺尺寸的不断减小,其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频/模拟电路的工作要求.然而,随着沟道长度的变短,沟道噪声对电路的贡献增大,噪声是电路关注的主要性能之一.由于二级效应,经典的长沟道噪声模型不再精确.本文总结了沟道热噪声产生的机理,以及短沟道载流子有效迁移率的计算.系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS器件的热噪声的模型.在文章的最后,介绍了沟道噪声的仿真和测试方法.

关键词：深亚微米、热噪声、短沟道、载流子

所属期刊栏目：16

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：63-66