深亚微米ESD保护器件GGNMOS性能分析与设计

摘要：

本文采用MEDICI作为集成电路ESD保护常用器件一栅极接地NMOS管(GGNMOS)ESD性能分析的仿真工具,综合分析了各种对GGNMOS的ESD性能有影响的因素,如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等,为深亚微米下ESD保护器件GGNMOS的设计提供了依据.通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS器件ESD性能也有一定影响,此前,对这一因素的讨论较少.最后,根据分析结果,给出了一个符合ESD性能要求的器件设计.

关键词：ESD、MEDICI、深亚微米GGNMOS

所属期刊栏目：16

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：46-50,58