0.18微米CMOS工艺技术平台

摘要：

@@ 1、产品及其简介本工艺技术平台以国际主流0.18微米CMOS工艺为目标,与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配,并有很强的兼容性,可兼容RF CMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块.其技术特征为:双工作电压(1.8伏和3.3伏)、1层多晶6层铝布线;可选嵌入式SRAM,多晶电阻、MIM电容等模拟信号器件.工艺特点有:248 nm光刻和OPC、PSM掩模板技术、浅沟槽隔离技术、双栅氧双栅极、自对准钴硅化物接触工艺等.

机标关键词：微米、工艺特点、主流产品、模拟信号、模板技术、技术特征、技术平台、国际主流、钴硅化物、工作电压、工艺模块、隔离技术、多晶、自对准、双栅极、嵌入式、兼容性、栅氧、器件、匹配

所属期刊栏目：16

分类号：TN4;TU5

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：23-24