LDMOS器件在ESD保护中的应用

摘要：

本文针对LDMOS器件在ESD保护应用中的原理进行了分析,重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流,结合实际工艺对器件进行参数优化,得到了承受4KV ESD电压的LDMOS器件.

机标关键词：器件、保护、二次击穿电流、应用过程、触发电压、参数优化、原理、设计、工艺

所属期刊栏目：15

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-27,21