期刊专题

10.3969/j.issn.1681-5289.2006.10.009

干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用

引用
本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程.针对实际应用中的问题,展开讨论.通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值.

干刻清洗 Dry Clean、金属刻蚀 Metal Etch、干刻 Dry Etch、去胶腔 Ash Chamber、去胶速率:Ash Rate(AR)

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TN4(微电子学、集成电路(IC))

2008-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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中国集成电路

1681-5289

11-5209/TN

15

2006,15(10)

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