先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础

摘要：

本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(S0I)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景.

机标关键词：半导、体硅材料、优化、纳米集成电路、电路性能、硅基材料、纳米电子学、质量控制、杂质元素、运动规律、点缺陷、发展趋势、传质过程、表面形态、应变硅、绝缘体、光子学、大直径、锗硅、衍生

所属期刊栏目：15

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：33-39