基于0.6μm CMOS工艺的单片集成有源电感设计

摘要：

采用0.6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计,其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成,电感值可受直流偏置控制,占用面积小.仿真结果表明,该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-1GHz,600MHz频率处电感的Q值达到26,等效电感值为400nH.

机标关键词：工艺、单片集成、场效应晶体管、有源电感、电感值、频率范围、偏置控制、仿真结果、电感电路、原理图、直流、设计、面积、构成、等效

所属期刊栏目：15

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省高技术研究发展计划项目BG2005022;南通大学校科研和教改项目05Z114

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52