PlatNiStripTM镍铂薄膜工艺帮助65-nm技术节点

摘要：

@@ 三月,FSI国际有限公司董事长兼首席执行官Don Mitchell来到上海,向业界宣布FSI推出一项新的研发成果,这项新的镍铂剥离工艺将帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自对准金属硅化物(Salicide)的形成.FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStripTM工艺,并且与领先的集成电路制造商合作,在65-nm试验线设备上对该工艺进行了验证.这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现.

机标关键词：薄膜工艺、技术、自对准金属硅化物、集成电路、制造商、首席执行官、研发成果、行业标准、系统开发、剥离工艺、试验线、喷雾式、化学品、董事长、验证、设备、上海、清洗、节点、成本

分类号：TN3;TP2

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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