深亚微米CMOS的功耗分析

摘要：

@@ 一、历史回顾
在集成电路家族中,目前CMOS是绝对的望族,占到90%以上,数字集成电路几乎百分之百由CMOS工艺实现.CMOS以互补为特征,包括两方面含义:一是器件极性的互补,所用MOSFET包含N、P两种极性;另一是电路结构的互补,NMOS与相对应PMOS的串、并联接方式互补,这就产生了CMOS集成电路最佳的输出特性和极低的功率消耗.CMOS的输出电平可以达到电源电压VDD和地电平GND,这是TTL、甚至NMOS(即E/D MOS)不可比拟的;CMOS的输出驱动能力虽比不上TTL,但优于NMOS是不成问题的.

机标关键词：深亚微米、数字集成电路、互补、输出特性、输出电平、驱动能力、联接方式、极性、功率消耗、电源电压、电路结构、特征、器件、历史、家族、工艺

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：29-37