一种应用于存储容错的Reed-SoLomon结构设计

摘要：

针对目前NAND型FLASH大容量存储器件和和高数据完整性的要求,本文应用RS码在有限域GF(210)上设计了一个高吞吐低复杂度的存储容错系统.通过在不同模块之间的逻辑结构复用和寄存器共享,此方案极大的减小了实现面积.RS解码采用无逆的BM算法,其流水线式的设计很好的减小了关键路径.最终在0.35um CMOS工艺下实现了整个系统.

机标关键词：应用、存储器件、容错系统、数据完整性、设计、逻辑结构、流水线式、关键路径、低复杂度、有限域、寄存器、大容量、算法、模块、面积、解码、共享、工艺、复用

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：36-40,35