10.3969/j.issn.1002-3461.2000.05.005
高浓度草酸对古糖酯(G872)与晶体粘附作用的影响
应用Coulter DELSA 440 zeta电位仪测定一水草酸钙晶体表面的zeta电位,研究高浓度草酸(0.2mmol·L-1、0.4mmol·L-1)对古糖酯(G872)与一水草酸钙晶体粘附作用的影响;并应用[3H]G872研究高浓度草酸下G872在一水草酸钙晶体表面的粘附变化.结果表明高草酸下晶体表面的zeta电位负值自24.5mV降低至20.6mV,晶体表面的放射强度显著低于空白对照组(P<0.05、P<0.01),提示高草酸下只有较少的大分子聚阴离子大分子抑制物(如 G872)粘附到晶体表面,从而解释了高草酸降低尿路结石症大分子抑制物抑制活性的原因.
高草酸、古糖酯(G872)、晶体粘附
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R9(药学)
2007-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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