高效率蓝光硅光探测器外延结构及特性研究

摘要：

为了实现硅基雪崩光电二极管蓝光波段(400～500 nm)高光响应度,设计了SACM型基本器件结构,探究了倍增层厚度对器件的雪崩击穿电压及光电流增益的影响及倍增层掺杂浓度对光响应度的影响,综合考虑光响应度和击穿电压的因素,结果表明:当表面非耗尽层掺杂浓度为1.0×1018 cm?3、厚度为0.03μm;吸收层掺杂浓度为1.0×1015 cm?3、厚度为1.3μm;场控层掺杂浓度为8.0×1016 cm?3、厚度为0.2μm;倍增层掺杂浓度为1.8×1016 cm?3、厚度为0.5μm时,器件具有较低的击穿电压Vbr-apd=34.2 V.当Vapd=0.95 Vbr-apd,该结构在蓝光波段具较高的光响应度(SR=3.72～6.08 A·W?1).上述研究结果对高蓝光探测响应度Si-APD实际器件的制备具有一定的参考价值.

关键词：雪崩光电二极管、硅、光谱响应度

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分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家重点研发计划;吉林省科技发展计划项目;国家自然科学基金;广东省科技计划项目

在线出版日期：2022-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共24页

页码：568-591