Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究

摘要：

腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法.为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索.本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究.实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响.实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感.当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果.相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移.

关键词：量子阱混杂、半导体激光器、腔面光学灾变损伤

所属期刊栏目：15

分类号：TN314+.3;TN315+.3(半导体技术)

在线出版日期：2022-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：426-432