铌酸锂薄膜调制器的研究进展
铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点.本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能.基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了VπL<2 V?cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz.铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案.最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望.
铌酸锂薄膜;LNOI;电光调制器
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TN29(光电子技术、激光技术)
国家重点研发计划;国家自然科学基金
2022-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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