悬空氧化铟纳米线晶体管制备与光电性能表征

摘要：

一维(1D)半导体纳米线在纳米电子学和纳米光子学中表现出色.然而,纳米线晶体管的电特性对纳米线与衬底之间的相互作用非常敏感,而优化器件结构可以改善纳米线晶体管的电学和光电检测性能.本文报道了通过一步式光刻.

关键词：纳米线、In2O3、悬空器件、紫外探测器

所属期刊栏目：14

分类号：O472+.8;O472+.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目;国家重点基础研究发展规划项目;中国科学院重点资助项目

在线出版日期：2021-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：196-205