真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究
通过倍频Nd∶YAG固体激光的基波得到波长分别为532、355和266 nm的激光,研究了单晶硅( Si)对不同波长固体激光的吸收规律和3种不同波长激光在真空条件下烧蚀单晶Si的烧蚀特征。结果表明,单晶Si 对波长为100~370 nm的紫外激光具有很好的吸收效果;在其他条件相同时,532 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量( Ep =30μJ)是355和266 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量(Ep =15μJ)的2倍;532、355和266 nm的激光烧蚀单晶Si的烧蚀阈值随着波长的变短而变小。
Nd∶YAG固体激光、激光波长、单晶硅、烧蚀阈值
TN249(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金资助项目 No.51205113;黑龙江省留学归国人员科学基金资助项目 No. LC2011C35;教育部留学回国人员科研启动基金项目;黑龙江科技学院引进人才资助项目2012-03
2014-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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