10.13535/j.cnki.10-1507/n.2022.18.11
Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列材料的制备及其电化学特性
以泡沫铜为原料,通过碱性氧化蚀刻、氨气退火、交替沾蘸法制备Cu3N纳米线阵列为核、ZnAl层状双氢氧化物(ZnAl-LDH)为壳的纳米线阵列材料,研究制备工艺对纳米线阵列及其中间产物形貌的影响,以及Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列的电化学特性.结果表明,Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列集合了多孔、超薄的二维LDH壳层、高导电性的一维Cu3N核的结构特征,展现出高单位面电容和高能量密度的电化学特性,未来有望用作高性能超级电容器的电极材料.
纳米线阵列、层状双氢氧化物、交替沾蘸法、超级电容器
O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2023-01-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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