CdS薄膜及Si基底对CdS/Si异质结太阳电池性能影响的数值模拟

摘要：

文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响.模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3.8eV;随着CdS禁带宽度的增加,Voc、Jsc和Eff均逐渐减小;随着CdS厚度的增加,电池的FF、Jsc、Eff均明显下降;随着硅片厚度的增加,Jsc、Voc及Eff都有不同程度的提升.

关键词：异质结太阳电池、CdS薄膜、数值模拟

分类号：TM914

资助基金：广东省分布式太阳能发电综合利用技术创新团队自然科学,2017GKCXTD008;广东科技计划项目2014B040404002;广东青年创新基金2015KQNCX170;佛山市太阳能应用产品科研平台No.2014AG10013等项目资金支持

在线出版日期：2019-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13