期刊专题

10.3969/j.issn.1009-2374.2009.20.101

浅析电涌产生及电涌保护

引用
随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄.电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大.外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素.文章论述了电涌的产生及电涌保护.

电涌、电涌保护器、保护模式、MOV构成、MOV的指标

TM862(高电压技术)

2010-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

181,184

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1009-2374

11-4406/N

2009,(20)

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