10.3969/j.issn.1009-2374.2009.20.101
浅析电涌产生及电涌保护
随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄.电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大.外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素.文章论述了电涌的产生及电涌保护.
电涌、电涌保护器、保护模式、MOV构成、MOV的指标
TM862(高电压技术)
2010-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
181,184
10.3969/j.issn.1009-2374.2009.20.101
电涌、电涌保护器、保护模式、MOV构成、MOV的指标
TM862(高电压技术)
2010-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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