封装寄生参数对并联lGBT芯片瞬态电流分布的影响规律

摘要：

大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要.首先介绍了大功率IGBT模块内部布局不一致导致的封装寄生参数差异性.其次,结合IGBT等效电路模型及其开关特性,分析了寄生参数差异性对于并联IGBT芯片瞬态电流分布特性的影响规律.最后,建立了并联IGBT芯片的等效电路模型,并应用Synopsys Saber软件建立了仿真电路,从封装寄生电感参数差异性、封装寄生电阻参数差异性,分析了参数差异对并联芯片的瞬态电流分布特性的影响.

关键词：IGBT、并联芯片、寄生电感、寄生电阻、瞬态电流分布

所属期刊栏目：52

分类号：TM152(电工基础理论)

资助基金：国家科技重大专项集成电路专项资助项目2015ZX02301;国家电网公司科技项目GEIRI-GB-71-17-001

在线出版日期：2019-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：16-25