铅基卤化物钙钛矿纳米晶掺杂研究进展

摘要：

铅基卤化物钙钛矿CsPb X3(X=Cl,Br,I)半导体纳米晶由于具有窄半峰宽、可调发射波长、高荧光量子产率等优异的光电特性,在发光二极管、激光器、太阳能电池等领域有很广阔的应用前景.通过化学掺杂的方法将掺杂原子引入到钙钛矿纳米晶中,可以改变纳米晶的光电性质,包括带隙宽度、光致发光强度、荧光量子产率和稳定性,掺杂原子种类和浓度也会影响钙钛矿纳米晶的电子能带结构和荧光特性,因此针对钙钛矿纳米晶的掺杂成为了近年来的研究热点.ABX3 型纳米晶的A/B/X位均可被杂质原子取代,研究发现,B位掺杂对纳米晶性质的影响更为明显,综述了铅基卤化物钙钛矿纳米晶的B位掺杂方法、机理及对其结构和光电性能的影响,掺杂元素主要包括Mn,Ln,Sn和碱土金属等.掺杂上述离子可有效改善钙钛矿纳米晶光学性能和稳定性,并进一步推动其实际应用.

关键词：铅基卤化物钙钛矿、半导体纳米晶、掺杂、荧光、金属离子

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：769-778