宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

摘要：

β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注.β-Ga2O3禁带宽度可达4.7 eV,相比于第三代半导体SiC和GaN,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料.此外,β-Ga2 O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用.重点介绍了β-Ga2 O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2 O3晶体未来的发展方向.

关键词：β-Ga2O3、宽禁带半导体、单晶生长、晶体加工、紫外探测器、肖特基二极管

所属期刊栏目：39

分类号：O782+.1(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51321091,51202128,51227002,1323002,51932004

在线出版日期：2020-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：113-123