微氧化烧结制备掺杂Y2O3的SiC陶瓷及含镉模拟废水处理

摘要：

采用了微氧化烧结制备了不同Y2O3质量分数(0％、2％、4％、6％)的多孔SiC陶瓷,通过对陶瓷的晶体结构、微观形貌、物理性能和Cd2+的去除率测试发现:添加了 Y2O3的SiC陶瓷出现了较多的第二相Y2SiO7、Y5Si3C0.5,随着Y2O3的质量分数增加逐渐升高,主相的衍射峰的强度有降低.扫描电子显微镜测试发现,SiC陶瓷的尺寸在2.5 μm,Y2O3引入后,SiC陶瓷的晶粒尺寸降低,高温烧结时液相的含量增加,熔体粘度降低,晶粒结合更加紧密,Y2O3的引入提高了多孔陶瓷的体积密度,Y2O3质量分数为6％SiC的体积密度最大为2.21 g/cm3.热导率随着Y2O3质量分数的增加呈现出先升高后降低的趋势.金属Cd2+的过滤测试表明:随着Y2O3质量分数增加,Cd2+的残留质量浓度、膜通量和去除率先降低后升高,当掺杂质量分数为4％时,Cd2+残留质量浓度最低为0.042 mg/L,膜通量达到了最大值572 L/(m2·h),去除率最大为99.95％,相比未掺质量分数杂体系的去除率提高了0.14％.随着溶液pH值的逐渐增大,金属Cd2+的残留质量浓度逐渐降低、去除率逐渐升高,pH≥9时最终均趋于稳定.综合来看,多孔SiC陶瓷的助烧剂Y2O3最佳掺量为4％.

关键词：碳化硅、微氧化烧结、陶瓷、助烧剂、Y2O3、pH值、废水处理

所属期刊栏目：39

分类号：O613.7(无机化学)

在线出版日期：2022-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1312-1318