金纳米棒/石墨相氮化碳复合薄膜的制备及其光电化学性能

摘要：

石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种新型的非金属有机半导体材料在光催化领域受到了人们的广泛关注.为进一步改善它的光电化学性能,本文利用种子生长法和一锅法相结合制备了Au纳米棒/g-C3N4复合材料.结果表明,金纳米棒降低了载流子的复合率,使复合材料表现出了较好的光电化学性能.该材料光电流密度可达到17.18 μA/cm2(相对于可逆氢电极),是纯的石墨相氮化碳材料的2.5倍.

关键词：石墨相氮化碳、Au纳米棒、一锅法、光电化学

所属期刊栏目：35

分类号：O657(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金21575115,21327005;区域环境分析及特色功能材料应用电化学研究和创新团队发展计划IRT-16R61 Supported by the National Natural Science Foundation of China21575115,21327005;the Program for Chang Jiang Scholars and Innovative Research Team,Ministry of Education,ChinaIRT-16R61

在线出版日期：2018-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：574-581