Hg在Pd掺杂的CeO2表面吸附和脱除

摘要：

基于密度泛函理论对Hg在纯CeO2表面的吸附机理进行了理论计算,采用p(3×3)的二维超晶胞模型计算了CeO23个不同表面上不同位点对汞的吸附能,计算结果表明,Hg在纯CeO2表面吸附能力较弱,为物理吸附,Hg原子与CeO2未形成有效化学键.为了进一步研究Hg在CeO2表面的吸附机理,计算了Hg在Pd掺杂的CeO2(Pd-CeO2)表面的吸附机理,结果表明,Hg在Pd-CeO2表面吸附能较强,为化学吸附,Hg原子与Pd-CeO2之间形成有效的化学键,说明Pd的掺杂有利于提高CeO2对汞的吸附能力.为了量化纯CeO2和Pd-CeO2的汞脱除效率,对Hg在纯CeO2和Pd-CeO2表面的脱除进行了实验研究.实验结果表明,纯CeO2对汞的脱除效率较低,贵金属Pd的掺杂能够有效提高CeO2的汞脱除效率,与理论计算的结果相符.

关键词：密度泛函理论、汞、CeO2、Pd-CeO2、吸附机理

所属期刊栏目：33

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金51576173,51176171;国家环境保护公益性行业科研专项201309018;the National Natural Science Foundation of China51576173,51176171;the National Nonprofit Special Fund for Environmental Protection Research in the Public Interest201309018

在线出版日期：2016-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：960-967