铅在铜上电沉积的原位椭圆偏振法
采用循环伏安法(CV)和原位椭圆偏振法(SE)研究铅在铜电极上的电沉积行为.原位椭圆偏振参数ψ和△值的变化率在CV图峰电位处同时出现极值.通过建立单层膜模型描述"电极-溶液"界面的结构并对椭圆偏振光谱数据进行拟合得到铅沉积层厚度随电位的变化规律.拟合结果显示,铅在铜电极上的电沉积有3个不同的沉积速率,-0.20~-0.35 V之间沉积速率为0.003 nm/mV,-0.35~-0.48 V之间沉积速率为0.025 nm/mV,-0.48~-0.60 V之间沉积速率为0.116 nm/mV,由此表明铅的电沉积分为3个不同阶段:欠电位沉积阶段、欠电位沉积向本体沉积的过渡阶段和本体沉积阶段.
原位椭圆偏振光谱法、铅电沉积、铜
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O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
重庆市自然科学基金重点项目CSTC,2008BC4020;中国博士后科学基金20090450781
2011-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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