3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质

摘要：

通过Heck偶联法合成了4种3-烷基噻吩交替共聚物:聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-二唑)(P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-二唑)(P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶)(P3HT-Py)和聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶)(P3OT-Py). 用NMR、GPC等测试技术对其结构进行了表征. 采用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱法研究了系列共聚物光电性能. 结果表明,随噻吩环3位取代烷基碳链的增长,聚合物电离能(Ip)减小,带隙(Eg)也随之变窄. 其中,P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11 eV,P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19 eV,在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的二唑单元,可有效提高共聚物电子亲合能(Ea),对提高电子传输能力,改善电子与空穴注入平衡有积极作用.

关键词：聚噻吩、循环伏安、电子亲合能、电离能、带隙

所属期刊栏目：26

分类号：O646.5(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金："九七三"基础研究发展计划2007CB936300;国家科技支撑2007BAK26B06;江苏省研究生创新基金1107040024

在线出版日期：2009-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：707-710