铵离子插层MoS2的制备与表征

摘要：

以剥层重堆法制备了NH+4/MoS2插层复合物,该复合物可以作为长期储存的单层MoS2,同时也可作为先驱体以便插入其它客体分子制成新的插层复合物.通过XRD、热重分析和元素分析等测试技术对该插层复合物进行了表征.结果表明,MoS2经NH+4插层后,其层间距由0.615nm增加到0.954nm,由元素分析和热重分析得出插层复合物的组成分别为(NH+4)3.1 MoS2 和(NH+4 )2.9 MoS2 . 插层复合物在空气中放置30 d后,其XRD和热重分析的结果表明该插层复合物的储存稳定性良好. 此外,插层复合物的插层程度受氯化铵溶液浓度、反应温度、反应时间等反应条件的影响,质量分数为1.0%的氯化铵溶液, 反应温度30 ℃和反应时间12 h,所得到的NH+4 /MoS2插层复合物层间距最大.

关键词：MoS2、铵离子、插层复合物

所属期刊栏目：25

分类号：O611.6;TQ050.4(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金50405071

在线出版日期：2008-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8