一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统

摘要：

非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30 μm～50 μm之间,死区范围小于300 μm,刻线深度符合工艺要求.这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深.设计了单激光器四分光路的激光刻线系统.采用设计的激光刻线装置,在1 400 mm×1 100 mm×3.2 mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μtm和45 μm,死区范围(P1至P3的距离)为287 μm,最终深度分别为0.98 μm,0.24 μm和0.58 μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求.

关键词：激光刻线系统、非晶硅薄膜太阳能电池、刻线

所属期刊栏目：32

分类号：TN249;TM914.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：广东省重点产业技术创新共建项目200872206

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1016-1021