10.3969/j.issn.1002-2082.2010.04.031
基于最优化思想的磁流变抛光驻留时间算法
基于最优化思想研究磁流变抛光驻留时间算法.将驻留时间反卷积运算变换成矩阵运算,以实际加工要求为约束条件,建立关于驻留时间的最优化数学模型,利用最小二乘逼近和最佳一致逼近数学解法器对优化模型进行数值求解.仿真结果显示:该算法收敛幅度大,计算效率较高,所求解满足数控加工要求.在自行研制的磁流变抛光机床上进行抛光实验,对有效口径为50 mm的圆形平面工件,经过4.7 min抛光,PV值从0.191λ降至0.087λ,收敛54.5%,RMS值从0.041λ降至0.010λ,收敛75.6%.
磁流变抛光、驻留时间算法、反卷积、最优化数学模型
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TN205;TH161(光电子技术、激光技术)
2010-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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