真空沉积法制备InSb纳米颗粒

摘要：

采用真空沉积的方法在SiO2基片上制备出了纳米InSb颗粒薄膜.利用原子力显微镜对4片样品表面进行分析,从其表面形貌图和三维图中可以观察到有粒径均匀的纳米InSb颗粒形成并且均匀地分布在SiO2基片表面.实验表明,通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒,并且颗粒直径与沉积时间和厚度成正比.

关键词：纳米InSb颗粒、真空蒸发沉积、原子力显微镜

所属期刊栏目：26

分类号：TN305.93(半导体技术)

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：46-48