PKB/AKT与脑缺血神经细胞凋亡的研究

摘要：

目的 研究AKT在脑缺血再灌注后损伤神经元中的表达情况.方法 采用大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型,大脑中动脉阻塞2h.共分为常温对照、亚低温处理两大组,每组分别12例,再灌注时间段分别为2h、12h、24h、72h,每时间段各3例,共24例,进行免疫组化染色,检测AKT的表达情况.结果 常温对照组模型再灌注2h后AKT即有表达,72h达高峰.亚低温处理组AKT表达阳性细胞数与常温对照组相应时间点相比,表达有所增高.结论 脑缺血再灌注可诱导AKT表达,亚低温预处理可促进AKT表达,AKT表达可能是脑缺血再灌注保护途径之一.

关键词：AKT、亚低温、脑缺血再灌注

所属期刊栏目：37

分类号：R65;R6

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：68-70