中子辐照SiC及其退火行为的光致发光特性研究

摘要：

利用荧光光谱对剂量为1.72×1019n/cm2的中子辐照掺氮6H-SiC晶体的发光特性进行了研究.结果表明:中子辐照在晶体中产生了大量缺陷,导致晶格结构发生严重损伤,使N有关的施主-受主对遭到破坏,引起对应的560nm发光峰消失;同时辐照缺陷引起的晶格应力使417nm和438nm附近发光峰发生轻微的蓝移现象.对辐照样品进行800℃和1600℃的等时退火后,发现低温800℃退火并未引起辐照损伤的明显恢复;经1600℃退火处理后,560nm发光峰明显升高,而417nm和438nm发光峰显著降低几乎趋于零,说明高温退火导致晶格损伤完全恢复,甚至使晶体中的固有缺陷也得到一定程度的恢复.

关键词：6H-SiC、中子辐照、损伤、光致发光

分类号：O77+4(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金天文联合基金项目U1631106;运城学院教学改革项目JG-201610

在线出版日期：2017-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-27,38