SiCN薄膜的红外光谱研究

摘要：

SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱(IR)进行表征.结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响.低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降.在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量.提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高.

关键词：SiCN薄膜、溅射、红外光谱、N含量

分类号：O431(光学)

资助基金：运城学院博士科研启动金YQ2011036

在线出版日期：2013-12-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：38-40