衬底温度对SiCN膜生长的影响

摘要：

分别在不同的衬底温度下制备了SiCN薄膜,首先用红外吸收谱(IR)研究了薄膜中各元素间的成键情况,然后用x射线衍射谱(XRD)分别研究了高温样品和低温样品的结构,得到了它们的结晶状况.利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响.

关键词：SiCN膜、衬底温度、红外吸收谱、XRD

所属期刊栏目：23

分类号：O41(理论物理学)

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：40-41