4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

摘要：

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施.首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤.接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释.最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施.铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜.通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀.改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良.

关键词：4-Mask、铜腐蚀、线不良

所属期刊栏目：34

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2019-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：125-129