HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

摘要：

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.

关键词：光致发光、碳化硅、HFCVD

所属期刊栏目：19

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314701;国家自然科学基金60177014

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：455-457