有机场效应晶体管中给体-受体共聚物材料研究进展

摘要：

自20世纪80年代至今,有机场效应晶体管(Organic field-effect transistor,OFET)的研究已经取得了很大的发展,目前可用于场效应晶体管的有机半导体材料已达数百种.经过30年的发展,有机场效应晶体管的迁移率从10-6～10-5cm2·V-1·s 1提高到12 cm2·V-1·S-1,增长了6个数量级,其性能已经超过了无定形性硅场效应晶体管(0.1～1 cm2·V-1·s 1).值得指出的是,目前该类高性能的材料几乎都是基于给体-受体(Donor-Acceptor,简称D-A)的共轭聚合物,它也被誉为第三代半导体材料.本文综述了近年来国内外D-A共聚物半导体材料的研究状况,对空穴传输型、双极传输型和电子传输型的D-A共聚物半导体材料进行了分类总结和评述,并对其设计思路,器件制备及性能做了详细介绍,总结了材料的化学结构与器件性能间的基本规律,为今后应用于有机场效应晶体管的给体-受体共聚物半导体材料提供设计思路.

关键词：有机场效应晶体管、聚合物材料、给体-受体共聚物材料

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资助基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China Nos.21262035,21162025,and the Foundation of Beijing National Laboratory for Molecular Sciences.国家自然科学基金Nos.21262035,21162025、北京分子科学国家实验室开放课题资助项目.

在线出版日期：2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1905-1915