基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究

摘要：

针对一款百万门级0.18μm互补金属氧化物半导体(0.18μm CMOS)工艺抗辐射加固的微处理器电路,提出了采用TCAD仿真建模技术对加固电路开展瞬时剂量率效应研究的方法,仿真结果表明通过保护环结构加固设计,可有效提升电路的抗瞬时剂量率效应性能,并利用瞬时剂量率辐射源进行了仿真有效性的试验验证.结果表明,采用TCAD仿真手段得到的瞬时光电流峰值与试验得到的光电流峰值误差小于5％,证实了仿真研究电路瞬时剂量率效应方法的有效性.

关键词：辐射加固、TCAD仿真、剂量率、瞬时光电流

所属期刊栏目：42

分类号：TN707(基本电子电路)

在线出版日期：2022-09-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：83-87,92