碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析

摘要：

对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.

关键词：抗氧化、碳化硅、转捩温度

所属期刊栏目：39

分类号：TB3;V25

在线出版日期：2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24