硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型

摘要：

为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值.

关键词：仿真、硅单晶圆片、V-O2对、建模、相场理论

所属期刊栏目：34

分类号：TG111(金属学与热处理)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金项目200804220021;山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题KF1303

在线出版日期：2019-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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