Bi掺杂BaSnO3电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，对Bi掺杂钙钛矿BaSnO3电子结构进行了第一性原理的研究．研究结果表明：BaSnO3是一种间接带隙材料，带隙值为0．33eV，掺杂前其光吸收和催化能力都很弱，但掺杂后的Ba1-xBixSnO3是一种直接带隙材料；随着掺杂量的增加，其带隙值和晶格常数都减小；费米面都向高能移动，使得介电函数的虚部的峰值大幅度提高，介电损失减小．掺杂提高了Ba1-xBiSnO3的光吸收和催化能力，表明Ba1-xBiSnO3是一种有前景的光学材料．

关键词：第一性原理、密度泛函理论、电子能带结构、光学性质、铁电性

所属期刊栏目：27

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金项目10947120

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：34-39