氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响

摘要：

采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层，然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中，对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响，在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射，并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明，随着退火温度的升高，施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中，观察到较为明显的自由激子光发射，并采用理论拟合进行证明．

关键词：ZnO纳米线、NH3、退火、光致发光

所属期刊栏目：27

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金项目10774076

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5-9